本岗位主要负责研发非易失磁存储芯片（MRAM）制造工艺，并与MRAM产品开发团队、电路设计团队共同制定产品工艺菜单，优化制造工艺，完成产品研发。MRAM的制造涉及新型微纳器件及非标准集成工艺，需要与电路开发人员、工艺整合工程师协同合作，以全定制化的方式完成工艺开发、电路设计和产品研发。
工作职责：
1、参与磁性随机存储器MRAM芯片的制造工艺研发；
2、按照研发要求，完成镀膜、光刻、刻蚀、测试等工作任务；
3、参与研发磁性隧道结（MTJ）薄膜结构，并设计实验、测试进行方案验证；
4、对薄膜、器件及其它相关测试结果进行数据处理与分析；
5、样品测试，失效分析；
6、参与器件设计，开发器件版图，协助完成器件版图设计及绘制工作；
7、根据器件设计，开发、修改、优化工艺菜单；
8、参与集成工艺研发，按照研发任务要求完成相关加工工艺；
9、协助其他工程师完成MRAM研发任务；
10、学习、调研与研发方向相关的资料内容。

任职资格：
1、本科以上学历，物理、微电子、材料、化学等集成电路相关专业；
2、拥有MRAM工艺相关工作经验者优先；
3、熟练使用设计相关EDA软件（Virtuoso, Spectre, HSPICE等），物理验证工具（DRC,LVS等）；
4、具备器件模型设计经验，器件版图开发经验；
5、熟练数据分析，具备故障分析能力，善于发现和解决问题；
6、拥有英文基础，具备良好的阅读理解及口语交流能力；
7、具备良好的学习能力，有自我提升的动力，具备良好社交能力。

联系人：张老师
公司地址：北京市海淀区知春路6号(锦秋国际大厦)10层A03
最近登录：2022-11-28