致真存储（北京）科技有限公司，依托国内一流高校科研成果，致力于基于电子自旋特性的磁性随机存储器（MRAM）的技术开发和芯片制造，开启并完成天使轮融资。国内首创、国际一流的8英寸磁性存储芯片专用后道工艺中试线；掌握国际领先磁存储芯片的设计、制造工艺核心技术。团队成功研发了高隧穿磁阻效应的磁隧道结，作为MRAM的核心存储单元，其关键指标高于国际领先水平，是国内首个80nm以下MRAM核心器件，研发资源与工艺能力处于国内顶尖水平。

公司主要围绕MRAM芯片，展开工艺开发、芯片制造、解决方案提供等业务。公司作为国内极具竞争力的新科技类创业企业，拥有自主可控研发线，期待有拼搏精神的伙伴加入！